본문 바로가기
정기연재 - 전기정보공학/[전력전자공학] 전력전자공학의 A부터 Z..아니 E정도까지

전력전자공학의 A: 전자회로 맛보기 (2편)

by STEMSNU 2021. 6. 11.

전력전자공학의 A to E : [A] Diode / Transitor / Rectifier (2편)

안녕하세요! 후렌치파이입니다 ㅎㅎ 오늘은 저번 시간에 이어 회로에서 아주 중요한 개념인 Large-Signal 그리고 Small-Signal Model을 다이오드와 트랜지스터에서 어떻게 모델링하는지 알아보고 다이오드를 이용한 간단한 변환회로인 Rectifier Circuit에 대해 살펴보려고 합니다! 지난 시간인 A-1편에서 다루었던 다이오드 모델들과 트랜지스터의 I-V 관계식에 대해 잘 이해하고 계시면 충분히 따라오는 데 어렵지 않을 거에요~! 그럼 시작합니다! ٩( ᐛ )و

▶ Large-Signal and Small-Signal Model

Large Signal Model

BJT(Bipolar Juction Transistor)의 I-V 관계식은 아래와 같이 나타난다는 사실을 저번 시간에 공부해보았습니다. 이 식들은 모두 BJT가 on 상태, 즉 Forward-Active Region에 위치할 경우(npn transistor의 경우 VC>VB>VEV_C>V_B>V_E)에 성립한다는 사실, 기억하시나요? 다음 관계식을 조합하여 BJT의 Large-Signal Model을 나타낸 것이 위의 그림입니다. VBEV_{BE}의 조건에 따라 Collector에 흐르는 전류 값이 결정되고, Collector 전류와 Base 전류의 합이 Emitter로 흐르는 것을 볼 수 있습니다.

VBE+VCB=VCE    ......  (1)V_{BE}+V_{CB}=V_{CE}~~~~......~~(1)
IC+IB=IE    ......  (2)I_C+I_B=I_E~~~~......~~(2)
IC=ISexp(VBEVT)    ......  (3)I_{C}=I_{S}exp(\frac{V_{BE}}{V_T})~~~~......~~(3)

한 마디로 Large-Signal Model이란, 특정한 전압/전류 조건에서 작동하는 회로 소자를 표현한 모델을 말합니다. 위의 예제를 예로 들어 설명해 보겠습니다. VBE=0.8VV_{BE}=0.8V에서 동작하는 BJT의 Collector 전류의 값은 IS=5×10−17AI_{S}=5\times10^{-17}A, Current Gain β=100\beta = 100이 주어진 경우 VT=26mVV_{T}=26mV를 식 (3)에 대입하여 IC=1.15mAI_C=1.15mA와 같이 얻을 수 있습니다. β\beta 값을 이용하면 Base 전류 IB=ICβ=11.5μAI_B=\frac{I_C}{\beta}=11.5\mu A의 값도 얻어지고, 이를 식 (2)에 대입하면 IE=IB+IC=1.16mAI_E=I_B+I_C=1.16mA을 계산할 수 있습니다. 마지막으로 예제의 그림에서 저항 RLR_L에 걸리는 전압이 VCC−VC=ICRLV_{CC}-V_C=I_CR_L이므로 VC=VCC−ICRL=2−(1.15×10−3)(500)=1.42VV_C={V_{CC}-I_CR_L}=2-(1.15\times 10^{-3})(500)=1.42V와 같이 계산하여, VBV_B보다 큰 값을 가져 BJT가 Forward Active Region에 있다는 가정이 맞다는 것을 확인해 볼 수 있겠습니다.

ISI_S는 소자마다 달라지는 고유 값이고, VTV_T는 상수에 해당하므로 VBEV_{BE}가 결정되면 BJT의 Large-Signal Model에 의해 다른 전압/전류의 값들이 결정됩니다. 이러한 특정한 전압/전류 조건에서 회로가 동작하는 경우, 전압 전류의 큰 그림을 보았을 때의 전압/전류의 굵직한 값들을 Large-Signal 또는 Bias 값이라고 부릅니다. 또한 이처럼 특정 전압/전류 값에서 회로가 동작할 때 회로가 Biased 되었다고 표현하고, 이 전압/전류 값을 하나의 Bias Point 또는 Operating Point라고 부릅니다. 위의 예제에서 VBE=0.8V, IC=1.15mAV_{BE}=0.8V,~I_C=1.15mA와 같은 값이 IC=ISexpVBEVTI_C=I_S exp\frac{V_{BE}}{V_T} 그래프 위의 한 점에 대응된다고 할 수 있는 것이죠!

Small Signal Model

Large-Signal Model이 회로 소자가 동작하는 굵직한 전압/전류 값들로 소자에서의 전압/전류 관계식을 나타낸 ‘Big Picture’ 에 해당했다면, Small-Signal Model은 특정 전압/전류 값이 정해졌을 때 그림의 ‘Magnified Version’ 이라고 할 수 있겠습니다. Small-Signal Model은 위의 그림과 같이 하나의 Operating Point에서 작은 input signal 변동에 대해 output signal이 변동하는 관계식을 선형 근사를 이용해 나타낸 것을 말합니다. 정확한 모델 식 (예를 들면 식 (3)과 같은) 을 두고 왜 선형 근사를 하는 걸까요? 만약 input signal의 변동이 복잡한 함수로 나타날 경우, 식 (3)과 같은 지수함수 모델 등에서는 output signal에서의 변동을 예측하기가 매우 어렵습니다. 따라서 식을 간결하게 만들어 input과 output에서의 변동의 전달을 쉽게 알아보기 위해 근사를 하는 것입니다.

그렇다면 선형 근사식은 어떻게 구할까요? 1st-order Taylor Series를 이용하여 나타냅니다. 다이오드의 예를 들어 보죠. 다이오드의 exponential model에서 다이오드 전류의 식은 다음과 다이오드 전압 VDV_D의 함수로 나타납니다.
ID=IS(expVDVT−1)≡f(VD)    ......  (4)I_D=I_S ( exp\frac{V_D}{V_T} - 1)\equiv f(V_D)~~~~......~~(4)
VD=V0+ΔVD    ......  (5)V_D=V_0+\Delta V_D~~~~......~~(5)
다이오드 전압에 변동 ΔVD\Delta V_D가 존재한다면, 다이오드 전압은 식 (5)와 같이 Biase Point에서의 고정된 값인 V0V_0 와 입력의 변동에 해당하는 ΔVD\Delta V_D의 합으로 나타낼 수 있습니다. 만약 ΔVD\Delta V_D가 충분히 작다면 f(VD)f(V_D)는 아래와 같이 V0V_0 근방에서 Taylor Expansion을 통해 나타낼 수 있습니다.
ID=f(VD)=f(V0+ΔVD)≈f(V0)+f′(V0)1!ΔVD+f′′(V0)2!ΔVD    ......  (6)I_D=f(V_D)=f(V_0+\Delta V_D) \approx f(V_0)+\frac{f'(V_0)}{1!} \Delta V_D +\frac{f''(V_0)}{2!} \Delta V_D ~~~~......~~(6)
ID=f(VD)≈f(V0)+f′(V0)ΔVD    .......  (7)I_D=f(V_D) \approx f(V_0) + f'(V_0) \Delta V_D~~~~.......~~(7)
ΔID≈f′(V0)ΔVD    ......  (8)\Delta I_D \approx f'(V_0) \Delta V_D ~~~~......~~(8)
where  f′(V0)=∂ID∂VD  at  VD=V0 where ~~f'(V_0)=\frac{\partial I_D}{\partial V_D} ~~at ~~V_D=V_0
선형 근사식을 써서 식을 간단하게 하는게 목적이고 변동 ΔVD\Delta V_D가 충분히 작다고 가정하였으므로, 식 (6)에서 2차 이상의 항은 무시하면 식 (7)과 같이 나타낼 수 있습니다. 식 (4)로부터 f(V0)=IS(expV0VT−1)f(V_0)=I_S(exp \frac{V_0}{V_T} -1), f′(V0)=ISexpV0VTf'(V_0)=I_Sexp\frac{V_0}{V_T}로, 현재 operating point 에서의 VDV_D의 Large Signal 값인 V0V_0가 주어진 값이므로 선형 근사식의 절편과 기울기는 operating point에 따라서 정해지는 상수 값입니다. 따라서 위의 그림에서 보이듯이, 특정 operating point에서의 다이오드 전압 변동 ΔVD\Delta V_D는 그 크기가 충분히 작다면 출력인 IDI_D 에 선형적으로 변동을 전달한다고 생각할 수 있습니다. 위 그림에서 VD=V(t)=V0+Vpcos⁡ωtV_D=V(t)=V_0+V_p \cos{\omega t} 의 식을 따르므로 Small-Signal Model에서 선형 근사를 한 경우 식 (8)에 의해 IDI_D의 변동도 ΔVD\Delta V_D에 비례하여 나타나는 것을 볼 수 있습니다. input, output에서의 작은 변동 성분은 앞으로 소문자를 써서 id, vdi_d, ~v_d와 같이 나타내고, operating point의 Bias 성분은 앞으로 대문자를 써서 ID, VDI_D,~ V_D와 같이 나타내도록 하겠습니다!

그렇다면 BJT의 Small-Signal Model은 어떤 형태일까요? BJT에서의 전압, 전류의 관계식인 식 (3)으로부터 IC=f(VBE)=ISexpVBEVTI_C=f(V_{BE})=I_S exp \frac{V_{BE}}{V_T} 에서 입력은 VBE+vbeV_{BE}+v_{be}, 출력은 IC+icI_C+i_c 로 Bias 값과 small-signal로 나타낼 수 있습니다. 식 (9)를 이용해 input 변동(vbe)v_{be})에 대한 output의 변동(ici_c)을 구해 보면 아래의 식과 같이 나타납니다.
f′(VBE)=∂IC∂VBE=∂∂VBE(ISexpVBEVT)=ISVTexpVBEVT=ICVT    ......  (10) f'(V_{BE})=\frac{\partial I_C}{\partial V_{BE}}=\frac{\partial}{\partial V_{BE}} (I_Sexp \frac{V_{BE}}{V_T})=\frac{I_S}{V_T} exp \frac{V_{BE}}{V_T}=\frac{I_C}{V_T} ~~~~......~~(10)
위의 식에서 입력 변동(∂VBE=vBE\partial V_{BE}=v_{BE})에 대한 출력 변동(∂IC=iC\partial I_C=i_C)의 비율 ∂IC∂VBE\frac{\partial I_C}{\partial V_{BE}}transconductance라고 정의합니다. 즉 transconductance gmg_m은 아래 식과 같이 나타나고, 입력 전압 변동에 대해 출력 전류의 변동의 gain에 해당하는 것이죠.
gm=∂IC∂VBE=icvbe    ......  (11)g_m=\frac{\partial I_C}{\partial V_{BE}}=\frac{i_c}{v_{be}}~~~~......~~(11)

Small-Signal Model로 BJT를 모델링하는 경우 BJT의 등가 회로는 위의 그림처럼 나타낼 수 있습니다. VBEV_{BE}에서의 작은 전압 변동인 vbev_{be}가 Base, Emitter 단자 사이에 걸릴 때, 출력 단자에 해당하는 Collector, Emitter 단자 사이에 흐르는 전류는 vbev_{be}에 transconductance gmg_m만큼이 곱해진 iC=gmvbei_C=g_m v_{be} 만큼 변화하는 것을 나타낸 것으로 이해하면 됩니다.

지금까지 Large-Signal Model과 Small-Signal Model이 무엇인지 알아보았습니다. Large-Signal Model은 회로의 큰 그림을 기술하는 I-V 관계식을 나타내는 등가 회로 모델에 해당하고, Small-Signal Model은 I-V 관계식 위의 한 점(operating point)을 확대하여 I, V 변동의 관계를 선형적으로 나타낸 등가 회로 모델을 말한다는 것, 이해가 잘 되시나요? 전압, 전류 뿐만 아니라 각종 물리량은 모두 Operating Point에서의 Bias 값과 Small-Signal 값의 합으로 나타낼 수 있습니다. 전력전자공학을 포함한 회로를 다루는 모든 분야에서 이와 같은 Large-Signal과 Small-Signal의 구분 및 Small-Signal로 취급해 선형 근사를 통해 작은 변동을 다루는 Skill은 매우 유용하게 쓰이니 잘 이해해 두시면 많은 도움이 될 거에요~! (ง˙∇˙)ว

▶ Rectifier Circuit

전자회로 맛보기 파트는 다이오드를 사용하여 교류 전압을 직류 전압으로 바꿔주는 회로인 Rectifier Circuit에 대해 간단하게 살펴보는 것으로 마무리를 하려고 합니다. 순서대로 Half-Wave Rectifier와 브릿지 회로를 사용한 Full-Wave Rectifier(Bridge Rectifier)에 대해 알아보겠습니다~!

Half-Wave Rectifier

위의 그림과 같은 회로에서, 출력 단자의 전압 VoutV_{out}은 다이오드 D1D_1이 ON상태일 때에만 입력 전압 VinV_{in}과 같고, D1D_1이 OFF 상태라면 회로의 Ground에 연결되므로 Vout=0V_{out}=0이 됩니다. D1D_1VinV_{in}이 양수인 경우 ON, 음수인 경우 OFF되므로 이를 그래프로 나타내면 아래와 같이 VinV_{in}의 양수인 부분만 VoutV_{out}으로 출력되는 것을 볼 수 있습니다. 정현파(Sinusoidal) 입력 전원에 대해 출력 전압의 파형은 Vin>0V_{in}>0인 절반만 출력되므로, 이와 같은 정류 회로를 Half-Wave Rectifier라고 부릅니다.

Half-Wave Rectifier의 가장 큰 단점은 나머지 절반의 시간 동안은 입력 전원을 이용하지 못한다는 점입니다. 이러한 문제는 다이오드를 브릿지 모양으로 연결하여 해결할 수 있는데요, 그렇게 만들어진 것이 바로 다음에 볼 Full-Wave Rectifier(Bridge Rectifier)입니다.

Full-Wave Rectifier (Bridge Rectifier)

위의 그림과 같이 다이오드 4개를 브릿지 모양으로 연결하면 VinV_{in}이 음수인 경우에도 VoutV_{out}에 출력값이 나오도록 할 수 있습니다. Vin>0V_{in}>0인 구간에서는 (a)에서 보이는 빨간색 경로를 따라 회로가 연결되므로 Vout=VinV_{out}=V_{in}이 되고, Vin<0V_{in}<0인 구간에서는 초록색 경로를 따라 회로가 연결되어 Vout=−VinV_{out}=-V_{in}이 됩니다. 즉 이 회로의 출력 전압과 입력 전압의 관계는 Vout=∣Vin∣V_{out}=|V_{in}|와 같이 나타나는 것이죠. (a)의 회로를 보기 좋게 정리한 것이 (b)에 보이는 회로로, Vin>0V_{in}>0인 경우 (d)와 같이 연결되어 Vout=VinV_{out}=V_{in}이 출력되고 Vin<0V_{in}<0인 경우 ©와 같이 연결되어 Vout=−VinV_{out}=-V_{in}이 출력되는 것을 알 수 있습니다.

이런 Half-Wave Rectifier 또는 Full-Wave Rectifier에 위의 그림과 같이 Capacitor를 연결하면 출력 전압을 훨씬 DC에 가깝게 만들 수 있습니다. Capacitor는 VinV_{in}의 크기가 감소할 때에 전압의 형태로 저장해 두었던 에너지를 출력 쪽에 흘려주어 VoutV_{out} 값에서의 time decay를 발생시키는 역할을 합니다. 각각의 Rectifier Circuit에서 VoutV_{out}의 그래프를 비교한 것은 아래의 그림과 같습니다. Full-Wave Rectifier의 경우가 Half-Wave Rectifier의 경우에 비해 전압의 Ripple (변동 폭)이 작고, 다이오드에 걸리는 역전압이 절반 정도로 작은 것을 알 수 있습니다.


지금까지 회로에서 중요하게 쓰이는 Small-Signal Analysis에 대해 알아보고 Diode를 활용한 AC/DC 변환 장치인 Rectifier Circuit에 대해서도 함께 공부해 보았습니다~!

궁금한 점이 있으시면 댓글로 꼭 달아주세요! 다음 게시물부터는 본격적으로 (드디어) 전력전자공학에 대해 공부해 보려고 합니다. [B] 파트에 해당하는 DC/DC Converter와 DC Transformer에 대해 다룰 예정이니 다음 게시물도 재밌게 읽어주셨으면 좋겠습니다 ㅎㅎ 그럼 다음에 또 만나요~! ٩(•̀ᴗ•́

댓글